Ren trong carbide tungsten tốc độ cao | NEUAR EDM

Hệ thống công suất xả AE II mới phá vỡ giới hạn và đơn giản hóa lập trình trong 5 bước. Đạt được bề mặt gương siêu mịn xung quanh Ra 0.06–0.08 µm mà không cần thêm bột; HQM2 mở rộng hoàn thiện diện tích lớn, cắt giảm thời gian và chi phí sau khi đánh bóng.

Mô-đun SPRUE nhắm đến các cổng góc có bề mặt gương với độ ổn định tuyệt vời. AE II tự động tạo ra các đường dẫn trục Z tuyến tính và 3 trục; trục C tinh chỉnh các góc cho khuôn chính xác. Đối với khuôn đóng gói IC, mạch tinh lớn giữ Ra tổng thể trong khoảng ±10% so với mục tiêu—lý tưởng cho các công cụ có mật độ cao và độ chính xác chặt chẽ.

Mạch hợp kim cứng giảm thiểu sự mài mòn trên các vật liệu siêu cứng; mạch chỉ của SH2 bằng carbide tungsten hoàn thành các ren bên trong chỉ với một điện cực. Giám sát khoảng cách tốc độ cao tăng tốc độ hoàn thiện điện cực graphite, trong khi điều khiển EtherCAT cho phép nhảy trục Z lên 18 m/phút để gia công lỗ sâu hiệu quả—yêu cầu tài liệu kỹ thuật hoặc một buổi trình diễn trực tiếp.