การกลึงทังสเตนคาร์ไบด์ | NEUAR EDM
เพื่อแก้ไขปัญหาการสึกหรอของอิเล็กโทรดที่สูงในระหว่างการตัดเฉือนวัสดุที่แข็งพิเศษ ได้มีการพัฒนาวงจรโลหะผสมแข็งเฉพาะทาง เทคโนโลยีนี้ช่วยลดการสูญเสียในการตัดเฉือนอย่างมีประสิทธิภาพและทำให้รายละเอียดมุมแหลมที่ละเอียดที่สุดถูกกำหนดอย่างชัดเจน ตอบสนองความต้องการในการผลิตแม่พิมพ์ที่มีความแม่นยำสูง.เทคโนโลยีหลัก AE II มอบพื้นผิวกระจกที่ปราศจากผงให้กับ Ra 0.06–0.08 µm, มุม 5 µm, การควบคุม Ra ±10% และการกระโดด Z ที่ 18 m/min สำหรับรูลึก ดู HQM2, SPRUE & จองการสาธิต.
การกลึงทังสเตนคาร์ไบด์
เทคโนโลยีหลักของเครื่อง EDM กระจกความเร็วสูง
เพื่อแก้ไขปัญหาการสึกหรอของอิเล็กโทรดที่สูงในระหว่างการตัดเฉือนวัสดุที่แข็งพิเศษ ได้มีการพัฒนาวงจรโลหะผสมแข็งเฉพาะทาง เทคโนโลยีนี้ช่วยลดการสูญเสียในการตัดเฉือนอย่างมีประสิทธิภาพและทำให้รายละเอียดมุมแหลมที่ละเอียดที่สุดถูกกำหนดอย่างชัดเจน ตอบสนองความต้องการในการผลิตแม่พิมพ์ที่มีความแม่นยำสูง.
กรณีศึกษาเกี่ยวกับการกลึง
การตัดเฉือนผิวสำเร็จที่ละเอียดเป็นพิเศษ ไม่มีรอยแตกบนพื้นผิว
มาพร้อมกับ AE II "วงจรทังสเตนคาร์ไบด์แข็งพิเศษ (SH2)" ทำให้ได้ผิวสำเร็จที่เหมาะสมที่สุดถึง Ra 0.2 μmประกายไฟที่ปล่อยออกมาอย่างละเอียดช่วยให้พื้นผิวทังสเตนคาร์ไบด์เรียบและสม่ำเสมอโดยไม่มีรอยแตก
วัสดุอิเล็กโทรดใด ๆ ก็สามารถทำได้ !
ไม่ว่าจะเป็นทองแดง, ทองแดงโครเมียม, หรือทองแดงทังสเตน ระบบจะปรับแต่งพารามิเตอร์เพื่อความเร็วในการตัดที่เร็วที่สุดพร้อมการสึกหรอน้อยที่สุด!
กรณีศึกษาเกี่ยวกับการกลึง : ข้อมูลการกลึงพื้นผิวที่ละเอียดพิเศษ Ra 0.2 ของทังสเตนคาร์ไบด์
ผลิตภัณฑ์ยอดนิยม
ดาวน์โหลด การกลึงทังสเตนคาร์ไบด์ | NEUAR EDM
ระบบพลังงานการปล่อย AE II ใหม่ทำลายขีดจำกัดที่ผ่านมาและทำให้การเขียนโปรแกรมเป็นไปอย่างราบรื่นใน 5 ขั้นตอน บรรลุพื้นผิวกระจกที่ละเอียดมากรอบ Ra 0.06–0.08 µm โดยไม่ต้องเพิ่มผง; HQM2 ขยายการตกแต่งพื้นที่ขนาดใหญ่ ลดเวลาและต้นทุนหลังการขัด.
โมดูล SPRUE มุ่งเป้าไปที่ประตูมุมที่มีผิวกระจกเงาและมีความเสถียรภาพที่ยอดเยี่ยม AE II สร้างเส้นทางแกน Z เชิงเส้นและ 3 แกนโดยอัตโนมัติ; แกน C ปรับมุมเพื่อแม่พิมพ์ที่แม่นยำ สำหรับแม่พิมพ์บรรจุ IC วงจรขนาดใหญ่ที่ละเอียดจะรักษา Ra โดยรวมให้อยู่ภายใน ±10% ของเป้าหมาย—เหมาะสำหรับเครื่องมือที่มีความหนาแน่นสูงและความทนทานที่แน่นอน.
วงจรโลหะผสมแข็งช่วยลดการสึกหรอของวัสดุที่แข็งมาก; วงจรเกลียวทังสเตนคาร์ไบด์ของ SH2 สามารถทำเกลียวภายในได้ด้วยอิเล็กโทรดเดียว การตรวจสอบช่องว่างความเร็วสูงช่วยเร่งการทำให้เสร็จสิ้นอิเล็กโทรดกราไฟต์ ในขณะที่การควบคุม EtherCAT ช่วยให้การกระโดดในแกน Z ทำได้ที่ความเร็ว 18 เมตร/นาที เพื่อการกลึงรูลึกอย่างมีประสิทธิภาพ—ขอข้อมูลทางเทคนิคหรือการสาธิตสดได้เลย
ข้อเท็จจริงของบริษัทในตัวเลข
0
ประสบการณ์ EDM มากกว่า 40 ปี
0
การรับประกันความแม่นยำ (ปี)
0%
ความพึงพอใจของลูกค้า