การปล่อยกระแสไฟฟ้าอย่างรวดเร็วโดยใช้กราไฟต์ | NEUAR EDM
เมื่อความต้องการในการกลึงที่แม่นยำยังคงเติบโต เทคโนโลยีการกลึงความเร็วสูงสำหรับอิเล็กโทรดกราไฟต์จึงกลายเป็นกุญแจสำคัญในการปรับปรุงประสิทธิภาพการผลิตและความแม่นยำในการกลึง แหล่งจ่ายไฟ AE II ใหม่มีเทคโนโลยีการตรวจสอบช่องว่างการปล่อยความเร็วสูง ทำให้อิเล็กโทรดกราไฟต์สามารถทำการกลึงที่ละเอียดในเวลาที่สั้นมาก ทำให้ได้ความแม่นยำที่สูงขึ้นและคุณภาพพื้นผิวที่เหนือกว่า.เทคโนโลยีหลัก AE II มอบพื้นผิวกระจกที่ปราศจากผงให้กับ Ra 0.06–0.08 µm, มุม 5 µm, การควบคุม Ra ±10% และการกระโดด Z ที่ 18 m/min สำหรับรูลึก ดู HQM2, SPRUE & จองการสาธิต.
การปล่อยกระแสไฟฟ้าอย่างรวดเร็วโดยใช้กราไฟต์
เทคโนโลยีหลักของเครื่อง EDM อัตโนมัติความเร็วสูง
เมื่อความต้องการในการกลึงที่แม่นยำยังคงเติบโต เทคโนโลยีการกลึงความเร็วสูงสำหรับอิเล็กโทรดกราไฟต์จึงกลายเป็นกุญแจสำคัญในการปรับปรุงประสิทธิภาพการผลิตและความแม่นยำในการกลึง แหล่งจ่ายไฟ AE II ใหม่มีเทคโนโลยีการตรวจสอบช่องว่างการปล่อยความเร็วสูง ทำให้อิเล็กโทรดกราไฟต์สามารถทำการกลึงที่ละเอียดในเวลาที่สั้นมาก ทำให้ได้ความแม่นยำที่สูงขึ้นและคุณภาพพื้นผิวที่เหนือกว่า.
กรณีศึกษาเกี่ยวกับการกลึง
เทคโนโลยี EDM ความเร็วสูงจากกราไฟต์
การตัดเฉือนความเร็วสูงไม่เพียงแต่ช่วยลดระยะเวลาการผลิต แต่ยังช่วยลดการสึกหรอของอิเล็กโทรดอย่างมีประสิทธิภาพ เพิ่มประสิทธิภาพการตัดเฉือนโดยรวมอีกด้วย.เทคโนโลยีนี้เหมาะอย่างยิ่งสำหรับการใช้งานที่ต้องการความแม่นยำสูงและคุณภาพพื้นผิวที่เหนือกว่า เช่น การบรรจุเซมิคอนดักเตอร์และการผลิตแม่พิมพ์.ด้วยการตั้งค่าพารามิเตอร์อัจฉริยะของระบบผู้เชี่ยวชาญของ NeuAR อิเล็กโทรดกราไฟต์สามารถบรรลุผลลัพธ์การตัดเฉือนที่เสถียรและสม่ำเสมอ รับประกันว่าทุกรายละเอียดจะถูกดำเนินการอย่างสมบูรณ์แบบ.
กรณีศึกษาเกี่ยวกับการกลึง : ข้อมูลการกลึงกราไฟต์ขนาดใหญ่
ผลิตภัณฑ์ยอดนิยม
ดาวน์โหลด การปล่อยกระแสไฟฟ้าอย่างรวดเร็วโดยใช้กราไฟต์ | NEUAR EDM
ระบบพลังงานการปล่อย AE II ใหม่ทำลายขีดจำกัดที่ผ่านมาและทำให้การเขียนโปรแกรมเป็นไปอย่างราบรื่นใน 5 ขั้นตอน บรรลุพื้นผิวกระจกที่ละเอียดมากรอบ Ra 0.06–0.08 µm โดยไม่ต้องเพิ่มผง; HQM2 ขยายการตกแต่งพื้นที่ขนาดใหญ่ ลดเวลาและต้นทุนหลังการขัด.
โมดูล SPRUE มุ่งเป้าไปที่ประตูมุมที่มีผิวกระจกเงาและมีความเสถียรภาพที่ยอดเยี่ยม AE II สร้างเส้นทางแกน Z เชิงเส้นและ 3 แกนโดยอัตโนมัติ; แกน C ปรับมุมเพื่อแม่พิมพ์ที่แม่นยำ สำหรับแม่พิมพ์บรรจุ IC วงจรขนาดใหญ่ที่ละเอียดจะรักษา Ra โดยรวมให้อยู่ภายใน ±10% ของเป้าหมาย—เหมาะสำหรับเครื่องมือที่มีความหนาแน่นสูงและความทนทานที่แน่นอน.
วงจรโลหะผสมแข็งช่วยลดการสึกหรอของวัสดุที่แข็งมาก; วงจรเกลียวทังสเตนคาร์ไบด์ของ SH2 สามารถทำเกลียวภายในได้ด้วยอิเล็กโทรดเดียว การตรวจสอบช่องว่างความเร็วสูงช่วยเร่งการทำให้เสร็จสิ้นอิเล็กโทรดกราไฟต์ ในขณะที่การควบคุม EtherCAT ช่วยให้การกระโดดในแกน Z ทำได้ที่ความเร็ว 18 เมตร/นาที เพื่อการกลึงรูลึกอย่างมีประสิทธิภาพ—ขอข้อมูลทางเทคนิคหรือการสาธิตสดได้เลย
ข้อเท็จจริงของบริษัทในตัวเลข
0
ประสบการณ์ EDM มากกว่า 40 ปี
0
การรับประกันความแม่นยำ (ปี)
0%
ความพึงพอใจของลูกค้า