GRAPHITE를 사용한 고속 방전 | NEUAR EDM
정밀 가공에 대한 수요가 계속 증가함에 따라, 그래파이트 전극을 위한 고속 가공 기술이 생산 효율성과 가공 정확도를 향상시키는 데 핵심이 되었습니다. 새로운 AE II 전원 공급 장치는 고속 방전 간격 모니터링 기술을 특징으로 하여 그래파이트 전극이 매우 짧은 시간 안에 정밀 가공을 수행할 수 있도록 하여 더 높은 정밀도와 우수한 표면 품질을 달성합니다.AE II 코어 기술은 Ra 0.06–0.08 µm의 무분말 미러 마감을 제공하며, 5 µm 코너, ±10% Ra 제어 및 깊은 구멍을 위한 18 m/min Z-점프를 지원합니다. HQM2, SPRUE를 확인하고 데모를 예약하세요.
GRAPHITE를 사용한 고속 방전
자동화된 고속 EDM 기계의 핵심 기술
정밀 가공에 대한 수요가 계속 증가함에 따라, 그래파이트 전극을 위한 고속 가공 기술이 생산 효율성과 가공 정확도를 향상시키는 데 핵심이 되었습니다. 새로운 AE II 전원 공급 장치는 고속 방전 간격 모니터링 기술을 특징으로 하여 그래파이트 전극이 매우 짧은 시간 안에 정밀 가공을 수행할 수 있도록 하여 더 높은 정밀도와 우수한 표면 품질을 달성합니다.
가공 사례 연구
그래파이트 고속 EDM 기술
고속 가공은 생산 주기를 단축할 뿐만 아니라 전극 마모를 효과적으로 줄여 전체 가공 효율성을 향상시킵니다.이 기술은 반도체 포장 및 금형 제조와 같이 높은 정밀도와 우수한 표면 품질을 요구하는 응용 프로그램에 특히 적합합니다.NeuAR의 전문가 시스템의 지능형 매개변수 설정을 통해 흑연 전극은 안정적이고 균일한 가공 결과를 달성할 수 있으며, 모든 세부 사항이 완벽하게 실행되도록 보장합니다.
가공 사례 연구 : 그래파이트 대면적 가공 데이터
인기 제품
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새로운 AE II 방전 전원 시스템은 한계를 넘어 5단계로 프로그래밍을 간소화합니다. 분말을 추가하지 않고 Ra 0.06–0.08 µm 주변의 초미세 거울 표면을 달성하세요; HQM2는 대면적 마감을 확장하여 후가공 시간과 비용을 절감합니다.
SPRUE 모듈은 우수한 안정성을 가진 미러 마감 각형 게이트를 목표로 합니다. AE II는 Z축 선형 및 3축 경로를 자동 생성하며, C축은 정밀 금형을 위한 각도를 정제합니다. IC 패키징 금형의 경우, 대면적 미세 회로는 전체 Ra를 목표의 ±10% 이내로 유지하여 고밀도, 정밀 공구에 이상적입니다.
경질 합금 회로는 초경질 재료의 마모를 억제합니다. SH2의 텅스텐 카바이드 스레드 회로는 단일 전극으로 내부 스레드를 완성합니다. 고속 간격 모니터링은 흑연 전극 마무리를 가속화하며, EtherCAT 제어는 Z축 점프를 18m/min로 가능하게 하여 효율적인 깊은 구멍 가공을 지원합니다. 기술 노트나 라이브 데모를 요청하세요.
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