텅스텐 카바이드 가공 | NEUAR EDM
초경 재료 가공 중 높은 전극 마모 문제를 해결하기 위해 전용 경합금 회로가 개발되었습니다. 이 기술은 가공 손실을 효과적으로 줄이고, 가장 미세한 날카로운 각 세부 사항도 명확하게 정의되어 고정밀 금형 제조의 요구를 충족합니다.AE II 코어 기술은 Ra 0.06–0.08 µm의 무분말 미러 마감을 제공하며, 5 µm 코너, ±10% Ra 제어 및 깊은 구멍을 위한 18 m/min Z-점프를 지원합니다. HQM2, SPRUE를 확인하고 데모를 예약하세요.
텅스텐 카바이드 가공
고속 미러 EDM 기계의 핵심 기술
초경 재료 가공 중 높은 전극 마모 문제를 해결하기 위해 전용 경합금 회로가 개발되었습니다. 이 기술은 가공 손실을 효과적으로 줄이고, 가장 미세한 날카로운 각 세부 사항도 명확하게 정의되어 고정밀 금형 제조의 요구를 충족합니다.
가공 사례 연구
초미세 마감 표면 가공, 표면에 균열 없음
AE II "슈퍼 하드 텅스텐 카바이드 회로 (SH2)"로 Ra 0.2 μm까지 최적의 표면 마감을 달성합니다.초미세 방전 스파크는 균일하고 매끄러운 텅스텐 카바이드 표면을 보장하며 균열이 없습니다.
어떤 전극 재료도 가능합니다!
구리, 크롬 구리 또는 구리 텅스텐을 사용하든, 시스템은 최소한의 마모로 가장 빠른 가공 속도를 위해 매개변수를 최적화합니다!
가공 사례 연구 : 텅스텐 카바이드 Ra 0.2 초미세 마감 표면 가공 데이터
인기 제품
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새로운 AE II 방전 전원 시스템은 한계를 넘어 5단계로 프로그래밍을 간소화합니다. 분말을 추가하지 않고 Ra 0.06–0.08 µm 주변의 초미세 거울 표면을 달성하세요; HQM2는 대면적 마감을 확장하여 후가공 시간과 비용을 절감합니다.
SPRUE 모듈은 우수한 안정성을 가진 미러 마감 각형 게이트를 목표로 합니다. AE II는 Z축 선형 및 3축 경로를 자동 생성하며, C축은 정밀 금형을 위한 각도를 정제합니다. IC 패키징 금형의 경우, 대면적 미세 회로는 전체 Ra를 목표의 ±10% 이내로 유지하여 고밀도, 정밀 공구에 이상적입니다.
경질 합금 회로는 초경질 재료의 마모를 억제합니다. SH2의 텅스텐 카바이드 스레드 회로는 단일 전극으로 내부 스레드를 완성합니다. 고속 간격 모니터링은 흑연 전극 마무리를 가속화하며, EtherCAT 제어는 Z축 점프를 18m/min로 가능하게 하여 효율적인 깊은 구멍 가공을 지원합니다. 기술 노트나 라이브 데모를 요청하세요.
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고객 만족도