18M/min Z軸高速ジャンプ | NEUAR EDM

新しいAE II放電電源システムは、限界を打破し、5ステップでプログラミングを簡素化します。粉を追加せずにRa 0.06–0.08 µm周辺の超微細ミラー表面を実現します。HQM2は大面積仕上げを拡張し、ポストポリッシュの時間とコストを削減します。

SPRUEモジュールは、優れた安定性を持つミラー仕上げの角ゲートを対象としています。AE IIはZ軸のリニアおよび3軸パスを自動生成し、C軸は精密金型のために角度を調整します。ICパッケージング金型においては、大面積の微細回路が全体のRaを目標の±10%以内に保ち、高密度で厳しい公差の工具に最適です。

ハード合金回路は超硬材料の摩耗を抑制します。SH2のタングステンカーバイドスレッド回路は、単一の電極で内部スレッドを完成させます。高速ギャップモニタリングはグラファイト電極の仕上げを迅速化し、EtherCAT制御によりZ軸のジャンプを18 m/minに実現し、効率的な深穴加工を可能にします。技術ノートまたはライブデモをリクエストしてください。