250mm長の半導体ICパッケージングモールド | NEUAR EDM
AE II大面積微細加工回路を備えたICパッケージング金型は、安定した高速処理結果を提供します。これらの条件下で、ICパッケージング金型の全体的な表面粗さは、目標Ra値から±10%の範囲内で一貫して維持されます。AE IIコアテクノロジーは、Ra 0.06–0.08 µmの粉なしミラー仕上げ、5 µmのコーナー、±10%のRa制御、深穴用の18 m/minのZジャンプを提供します。HQM2、SPRUEを参照し、デモを予約してください。
250mm長の半導体ICパッケージングモールド
自動高速EDM機のコア技術
AE II大面積微細加工回路を備えたICパッケージング金型は、安定した高速処理結果を提供します。これらの条件下で、ICパッケージング金型の全体的な表面粗さは、目標Ra値から±10%の範囲内で一貫して維持されます。
加工ケーススタディ
最新のギャップ制御技術
- 「大面積仕上げ回路（LAF）」を搭載し、大面積で安定した高加工速度を実現。
- 高い安定性：放電ギャップを正確に制御し、スムーズで途切れのない加工を保証。
- 高速加工：効率を向上させ、加工時間を短縮。
- 一貫した表面品質：大面積加工における全体の粗さは、目標Ra値から±10%の範囲内で一貫して制御可能。
5 μm以内の平坦度
半導体プロセスの非常に高い精度要件を満たす卓越した精密加工能力。
半導体パッケージングに最も適した表面テクスチャー
- 専門家システムは、半導体の多孔加工要件に対して知的処理機能を備えています。
- 最適な加工条件の自動選択：加工エリアに基づいて、手動調整なしで最も適したパラメータを自動的にマッチングします。
- 簡素化された操作プロセス：セットアップ時間を短縮し、加工効率を向上させます。
- このモジュールは半導体加工専用に設計されており、安定性と高性能を確保し、コア生産に集中し、高品質な結果を簡単に達成できるようにします。
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新しいAE II放電電源システムは、限界を打破し、5ステップでプログラミングを簡素化します。粉を追加せずにRa 0.06–0.08 µm周辺の超微細ミラー表面を実現します。HQM2は大面積仕上げを拡張し、ポストポリッシュの時間とコストを削減します。
SPRUEモジュールは、優れた安定性を持つミラー仕上げの角ゲートを対象としています。AE IIはZ軸のリニアおよび3軸パスを自動生成し、C軸は精密金型のために角度を調整します。ICパッケージング金型においては、大面積の微細回路が全体のRaを目標の±10%以内に保ち、高密度で厳しい公差の工具に最適です。
ハード合金回路は超硬材料の摩耗を抑制します。SH2のタングステンカーバイドスレッド回路は、単一の電極で内部スレッドを完成させます。高速ギャップモニタリングはグラファイト電極の仕上げを迅速化し、EtherCAT制御によりZ軸のジャンプを18 m/minに実現し、効率的な深穴加工を可能にします。技術ノートまたはライブデモをリクエストしてください。
会社の数字による事実
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EDM経験年数
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精度保証（年数）
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顧客満足度